采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：65A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95410RRBT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95410RRBT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95410RRBT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
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峰值灌电流：60A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：65A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
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峰值灌电流：60A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
包装方式：卷带（TR）
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库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95410RRBT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
包装方式：卷带（TR）
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品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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上升时间：击穿
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
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特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
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规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT
上升时间：击穿
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下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：65A
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峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
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规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：65A
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峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
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峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
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特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：65A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：65A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
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峰值灌电流：60A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95410RRBT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TA）
负载类型：电感
峰值拉电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MC
上升时间：限流，超温
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT
上升时间：击穿
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：65A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
