销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
上升时间:15ns
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
上升时间:15ns
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
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销售单位:个
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
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销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
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销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
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品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
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规格型号(MPN):UCC27536DBVR
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规格型号(MPN):UCC27536DBVR
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
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销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
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工作温度:-40℃~140℃
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ECCN:EAR99
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
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驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
电源电压:10V~32V
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驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
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库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
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销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
上升时间:15ns
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
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负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2.5A
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包装方式:卷带(TR)
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库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27536DBVR
下降时间:10ns
峰值灌电流:2.5A
上升时间:15ns
驱动配置:低端
ECCN:EAR99
电源电压:10V~32V
包装方式:卷带(TR)
峰值拉电流:2.5A
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工作温度:-40℃~140℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
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