采购热线 400-6619-010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：83W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：108 nC @ 10 V
输入电容：4586 pF @ 30 V
连续漏极电流：52A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：18 毫欧 @ 3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：175°C
功率：960mW（Ta），170W（Tc）
阈值电压：2.1V @ 500µA
栅极电荷：81 nC @ 10 V
输入电容：7540 pF @ 15 V
连续漏极电流：150A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：0.92 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：75W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
输入电容：2000 pF @ 25 V
连续漏极电流：30A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：230W（Tc）
阈值电压：5V @ 100µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
输入电容：3040 pF @ 25 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：结型场效应管
销售单位：个
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.9W（Ta），73W（Tc）
阈值电压：2V @ 70µA
栅极电荷：26 nC @ 10 V
输入电容：1450 pF @ 40 V
连续漏极电流：14.8A（Ta），64A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.6 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：610mW（Ta），8.3W（Tc）
阈值电压：1.3V @ 250µA
栅极电荷：10 nC @ 4.5 V
输入电容：679 pF @ 10 V
连续漏极电流：4A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：49毫欧 @ 4A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：160W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：14nC @ 10V
输入电容：190pF @ 15V
连续漏极电流：3.5A，2.3A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：100 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：100 nC @ 10 V
输入电容：3400 pF @ 25 V
连续漏极电流：36A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：25 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540mW
阈值电压：400mV@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
输入电容：83pF@24V
连续漏极电流：850mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，500mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：13nC@4.5V€12.2nC@4.5V
输入电容：1.028nF@6V€1.003nF@6V
连续漏极电流：5.1A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：115pF@6V€254pF@6V
导通电阻：17mΩ@4.5V，4.6A€37mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：700mW
阈值电压：1.5V @ 250µA
栅极电荷：4.6nC @ 4.5V
输入电容：324pF @ 10V
连续漏极电流：3A，2.2A
类型：N 和 P 沟道
导通电阻：70 毫欧 @ 3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Tc）
阈值电压：1.6V @ 1mA
输入电容：125 pF @ 20 V
连续漏极电流：890mA（Tj）
类型：N 通道
导通电阻：1 欧姆 @ 1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：70W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：61 nC @ 10 V
输入电容：2100 pF @ 25 V
连续漏极电流：20A（Tj）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1W，1.25W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：10nC @ 5V
连续漏极电流：5.8A，8.2A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：18.5 毫欧 @ 6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：70 nC @ 10 V
输入电容：1300 pF @ 25 V
连续漏极电流：18A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：180 毫欧 @ 11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 120µA
栅极电荷：41 nC @ 10 V
输入电容：2940 pF @ 40 V
连续漏极电流：66A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7 毫欧 @ 21A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：560W（Tc）
阈值电压：3.9V @ 5mA
栅极电荷：500 nC @ 10 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：36 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：85 nC @ 10 V
输入电容：2600 pF @ 25 V
连续漏极电流：13A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：145 毫欧 @ 7.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
功率：147W（Tc）
阈值电压：3.6V @ 4.84mA
栅极电荷：61 nC @ 15 V
输入电容：1621 pF @ 400 V
连续漏极电流：47A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：60 毫欧 @ 17.6A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：136W
阈值电压：4V@83μA
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，75A
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：405pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：142mΩ@2.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：61W
阈值电压：2.4V@420μA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
输入电容：1.734nF@20V
连续漏极电流：49A
类型：1个P沟道
反向传输电容：32pF@20V
导通电阻：10mΩ@10V，15A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：30W
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@10V，8.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：onsemi
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.7W（Ta），477W（Tc）
阈值电压：4.3V @ 20mA
栅极电荷：200 nC @ 15 V
输入电容：4415 pF @ 450 V
连续漏极电流：9.8A（Ta），112A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：28 毫欧 @ 60A，15V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：76nC@10V
输入电容：4.4nF@15V
连续漏极电流：85A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，1.9A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：2.7V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2nF@50V
连续漏极电流：5A€32A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@10V，10A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
